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IGBT即绝(jue)缘栅双(shuang)极晶体(ti)管，是(shi)一种复合了(le)功(gong)率场(chang)效应管和电力(li)(li)晶体(ti)管的优(you)点(dian)(dian)而产(chan)生(sheng)的一种新型复合器件,它同时(shi)具(ju)有MOSFET的高速(su)开(kai)关及(ji)电压驱动特(te)性和双(shuang)极晶体(ti)管的低饱和电压特(te)性，易实(shi)现较大电流(liu)的能力(li)(li)，既具(ju)有输入阻抗(kang)高、工作速(su)度快、热稳(wen)定性好和驱动电路简(jian)单(dan)的优(you)点(dian)(dian)，又(you)具(ju)有通态电压低、耐压高和承受电流(liu)大的优(you)点(dian)(dian)。
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在(zai)(zai)功率半导体器件中(zhong)，MOSFET以(yi)(yi)高速、低开关(guan)损(sun)耗、低驱动(dong)损(sun)耗在(zai)(zai)各种功率变(bian)换(huan)(huan)，特别是高频功率变(bian)换(huan)(huan)中(zhong)起着重(zhong)要作(zuo)用(yong)。在(zai)(zai)低压领域(yu)，MOSFET没有竞 争对手，但(dan)随着MOS的(de)耐压提高，导通电阻(zu)(zu)随之(zhi)以(yi)(yi)2.4-2.6次方增长(zhang)，其增长(zhang)速度(du)使MOSFET制造者和(he)应用(yong)者不(bu)得不(bu)以(yi)(yi)数(shu)十(shi)倍的(de)幅度(du)降低额定电流(liu)，以(yi)(yi) 折(zhe)中(zhong)额定电流(liu)、导通电阻(zu)(zu)和(he)成本之(zhi)间的(de)矛盾(dun)。
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根据IGBT的(de)(de)(de)等效电路(lu)图(tu)可(ke)知，若在IGBT的(de)(de)(de)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)G和发射(she)极(ji)(ji)(ji)E之(zhi)间(jian)加(jia)上(shang)驱动正电压，则MOSFET导(dao)通，这(zhei)样PNP晶体(ti)管的(de)(de)(de)集(ji)电极(ji)(ji)(ji)C与基极(ji)(ji)(ji)之(zhi)间(jian)成(cheng)低(di)阻(zu)状(zhuang)态而(er)使(shi)得晶体(ti)管导(dao)通；若IGBT的(de)(de)(de)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)和发射(she)极(ji)(ji)(ji)之(zhi)间(jian)电压为0V，则MOS 截(jie)止，切断(duan)PNP晶体(ti)管基极(ji)(ji)(ji)电流(liu)(liu)的(de)(de)(de)供(gong)给，使(shi)得晶体(ti)管截(jie)止。IGBT与MOSFET一样也是(shi)电压控制型器件，在它的(de)(de)(de)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)G—发射(she)极(ji)(ji)(ji)E间(jian)施加(jia)十几(ji)V的(de)(de)(de)直流(liu)(liu)电压，只有在uA级的(de)(de)(de)漏(lou)电流(liu)(liu)流(liu)(liu)过，基本上(shang)不(bu)消耗功率(lv)。
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经常(chang)(chang)碰到电源板上MOSFET无法正常(chang)(chang)工(gong)作，首先，要(yao)正确(que)测试判断MOSFET是否(fou)失效(xiao)，然后(hou)关键是要(yao)找到失效(xiao)背后(hou)的原因，并(bing)避(bi)免再犯同(tong)样的错误(wu)，本(ben)文(wen)整理(li)了常(chang)(chang)见的MOSFET失效(xiao)的几大原因，以及如何避(bi)免失效(xiao)的具体措施。
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mos管(guan)是(shi)金属—氧化(hua)物-半导体(ti)(ti)场效(xiao)应晶体(ti)(ti)管(guan)，或(huo)者称(cheng)是(shi)金属—绝(jue)缘体(ti)(ti)—半导体(ti)(ti)。MOS管(guan)的(de)(de)(de)source和drain是(shi)可以对(dui)调(diao)的(de)(de)(de)，他们都(dou)是(shi)在P型(xing)backgate中形成的(de)(de)(de)N型(xing)区(qu)。在多数情况下，这(zhei)个(ge)两(liang)(liang)个(ge)区(qu)是(shi)一(yi)样(yang)的(de)(de)(de)，即使(shi)两(liang)(liang)端(duan)(duan)对(dui)调(diao)也不会影响器件的(de)(de)(de)性能(neng)。这(zhei)样(yang)的(de)(de)(de)器件被认为是(shi)对(dui)称(cheng)的(de)(de)(de)。双(shuang)极型(xing)晶体(ti)(ti)管(guan)把输(shu)(shu)(shu)入(ru)端(duan)(duan)电(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)(de)微小变(bian)化(hua)放大(da)后(hou)，在输(shu)(shu)(shu)出(chu)端(duan)(duan)输(shu)(shu)(shu)出(chu)一(yi)个(ge)大(da)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)流变(bian)化(hua)。双(shuang)极型(xing)晶体(ti)(ti)管(guan)的(de)(de)(de)增(zeng)益就(jiu)定(ding)义为输(shu)(shu)(shu)出(chu)输(shu)(shu)(shu)入(ru)电(dian)(dian)(dian)流之比(bi)。另一(yi)种晶体(ti)(ti)管(guan)，叫(jiao)做(zuo)场效(xiao)应管(guan)，把输(shu)(shu)(shu)入(ru)电(dian)(dian)(dian)压(ya)的(de)(de)(de)变(bian)化(hua)转化(hua)为输(shu)(shu)(shu)出(chu)电(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)(de)变(bian)化(hua)。
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本(ben)期小(xiao)编将从电(dian)动(dong)(dong)机的(de)(de)效率和温升的(de)(de)问题、电(dian)动(dong)(dong)机绝缘(yuan)强度问题、谐波(bo)电(dian)磁噪(zao)声与震(zhen)动(dong)(dong)、电(dian)动(dong)(dong)机对频繁启动(dong)(dong)、制动(dong)(dong)的(de)(de)适(shi)应能力、低转速(su)时的(de)(de)冷却(que)问题等(deng)5个方面(mian)来为大(da)家讲(jiang)解变频器对电(dian)机的(de)(de)影(ying)响。
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