IGBT即绝缘栅双极晶体管，是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。

       近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。因此IGBT的测试就变的尤为重要。

        IGBT的(de)测(ce)试(shi)(shi)包括静态(tai)参(can)数测(ce)试(shi)(shi)、动态(tai)参(can)数测(ce)试(shi)(shi)、短(duan)路测(ce)试(shi)(shi)、热阻测(ce)试(shi)(shi)等，这些测(ce)试(shi)(shi)中最基本的(de)测(ce)试(shi)(shi)就数静态(tai)参(can)数测(ce)试(shi)(shi)，只有保证IGBT的(de)静态(tai)参(can)数没有问题的(de)情况下(xia)，才进(jin)行像动态(tai)参(can)数（开(kai)关(guan)时(shi)间、开(kai)关(guan)损(sun)耗(hao)、续流二极管的(de)反向恢复）、短(duan)路、热阻方面进(jin)行测(ce)试(shi)(shi)，要进(jin)行IGBT静态(tai)参(can)数测(ce)试(shi)(shi)，首先就需要了(le)解IGBT都有哪些静态(tai)参(can)数，具体如下(xia)。

 IGBT静态参数有BVCES,ICES,IGES,VGE(TH),VCE(SAT),VF等。

 1、BVCES

 在栅极 G 和发射极 E 短路时，在加一定的 IC 下，IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的击穿电压。

  2、ICES

 在栅极 G 和发射极 E 短路时，在加一定的 VCE 下，IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的漏电流。

 3、IGES

 在集电极 C 和发射极 E 短路时，在加一定的 VGE 下，IGBT 的栅极 G 和发射极 E 之间的漏电流。

 4、VGE(TH)

在一定的 IC 下，IGBT 的开启电压。

 5、VCE(SAT)

在栅极 G 和发射极之间加一定的 VGE(大于 VGE(TH)),一定的 IC 下，IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的饱和压降。

6、VF

在一定的 IE 下，续流二极管的电压降。

要判断一个IGBT器件的好坏，就需要对以上这些参数进行测试，测试结果就要和IGBT生产厂家出的IGBT的规格书中的电气特性这一栏里边的范围进行比较，在范围之内就合格，否则不合格。

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