根据IGBT的(de)(de)(de)(de)等效电(dian)(dian)(dian)路图可(ke)知，若在IGBT的(de)(de)(de)(de)栅(zha)极(ji)G和发(fa)射极(ji)E之(zhi)间(jian)加(jia)上驱动正电(dian)(dian)(dian)压，则MOSFET导(dao)通，这样(yang)PNP晶(jing)体管的(de)(de)(de)(de)集电(dian)(dian)(dian)极(ji)C与基(ji)(ji)极(ji)之(zhi)间(jian)成低阻(zu)状态而(er)使(shi)得晶(jing)体管导(dao)通；若IGBT的(de)(de)(de)(de)栅(zha)极(ji)和发(fa)射极(ji)之(zhi)间(jian)电(dian)(dian)(dian)压为0V，则MOS 截止(zhi)，切断PNP晶(jing)体管基(ji)(ji)极(ji)电(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)(de)(de)供给，使(shi)得晶(jing)体管截止(zhi)。IGBT与MOSFET一样(yang)也是电(dian)(dian)(dian)压控制型器件，在它的(de)(de)(de)(de)栅(zha)极(ji)G—发(fa)射极(ji)E间(jian)施加(jia)十几V的(de)(de)(de)(de)直流电(dian)(dian)(dian)压，只(zhi)有在uA级的(de)(de)(de)(de)漏电(dian)(dian)(dian)流流过，基(ji)(ji)本上不消(xiao)耗功率。

检测IGBT模块的的办法：

以两单元为例，用模拟万用表测量，具体如下。

1、静态测量

把万用表(biao)(biao)放在(zai)乘100档,测量黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)接1端(duan)(duan)子(zi)、红(hong)表(biao)(biao)笔(bi)接2端(duan)(duan)子(zi),显(xian)(xian)示(shi)电阻(zu)(zu)应(ying)为无(wu)穷大;表(biao)(biao)笔(bi)对调,显(xian)(xian)示(shi)电阻(zu)(zu)应(ying)在(zai)400欧(ou)左右.用同(tong)样的方法(fa),测量黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)接3端(duan)(duan)子(zi)、红(hong)表(biao)(biao)笔(bi)接1端(duan)(duan)子(zi),显(xian)(xian)示(shi)电阻(zu)(zu)应(ying)为无(wu)穷大;表(biao)(biao)笔(bi)对调,显(xian)(xian)示(shi)电阻(zu)(zu)应(ying)在(zai)400欧(ou)左右.若符合上述(shu)情况表(biao)(biao)明(ming)此IGBT的两个单元没有(you)明(ming)显(xian)(xian)的故障。

2、动态测试

把万用(yong)表(biao)(biao)的档位放在乘(cheng)10K档,用(yong)黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)(jie)4端(duan)(duan)子,红表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)(jie)5端(duan)(duan)子,此时黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)(jie)3端(duan)(duan)子红表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)(jie)1端(duan)(duan)子, 此时电(dian)(dian)阻(zu)应为300-400殴,把表(biao)(biao)笔(bi)对调也有大约300-400殴的电(dian)(dian)阻(zu)表(biao)(biao)明此IGBT单(dan)元(yuan)是完好的。

用(yong)(yong)(yong)同样的(de)(de)(de)(de)方(fang)法(fa)测试1、2端子间的(de)(de)(de)(de)IGBT,若符合上述的(de)(de)(de)(de)情况(kuang)表明该IGBT也是完好的(de)(de)(de)(de)。将万用(yong)(yong)(yong)表拨在(zai)R×10KΩ挡(dang)，用(yong)(yong)(yong)黑表笔(bi)接(jie)IGBT 的(de)(de)(de)(de)漏(lou)极D，红表笔(bi)接(jie)IGBT 的(de)(de)(de)(de)源极S，此(ci)时万用(yong)(yong)(yong)表的(de)(de)(de)(de)指(zhi)(zhi)针(zhen)指(zhi)(zhi)在(zai)无(wu)穷处(chu)。用(yong)(yong)(yong)手指(zhi)(zhi)同时触及一下栅(zha)极G和漏(lou)极D，这(zhei)时IGBT 被(bei)触发导(dao)通，万用(yong)(yong)(yong)表的(de)(de)(de)(de)指(zhi)(zhi)针(zhen)摆(bai)向(xiang)(xiang)阻值 较小的(de)(de)(de)(de)方(fang)向(xiang)(xiang)，并能站住指(zhi)(zhi)示在(zai)某一位置。然后(hou)再用(yong)(yong)(yong)手指(zhi)(zhi)同时触及一下源极S和栅(zha)极G，这(zhei)时IGBT 被(bei)阻断(duan)，万用(yong)(yong)(yong)表的(de)(de)(de)(de)指(zhi)(zhi)针(zhen)回到无(wu)穷处(chu)，此(ci)时即可判断(duan)IGBT 是好的(de)(de)(de)(de)。

而(er)这里(li)需要注意的是若(ruo)进(jin)第二次测量时(shi)，应短接一下源极S和栅(zha)极G。 任何指(zhi)针式万用(yong)表皆可用(yong)于(yu)检测IGBT。注意判(pan)断(duan)IGBT 好坏(huai)时(shi)，一定要将万用(yong)表拨(bo)在R×10KΩ挡，因(yin)R×1K Ω挡以下各档(dang)万用(yong)表内部电(dian)池电(dian)压太低，检测好坏(huai)时(shi)不能使IGBT 导通，而(er)无法判(pan)断(duan)IGBT 的好坏(huai)。

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