变频器主回路、电源回路、IGBT驱动、冷却风扇等常见故障分析

变(bian)频器(qi)由(you)主回(hui)路、电源(yuan)回(hui)路、IGBT驱动(dong)及保(bao)护(hu)回(hui)路、冷却风(feng)扇等几(ji)部分组成。其结构多为(wei)单元化(hua)或模块化(hua)形式。由(you)于(yu)使用方法不(bu)正确或设置环境不(bu)合理，将容易造成变(bian)频器(qi)误动(dong)作及发生故障，或者无法满足预期(qi)的运行效果。为(wei)防患(huan)于(yu)未然，事先对故障原因进行认(ren)真分析尤为(wei)重要。

变频器上的制动单元是什么？有哪些特点？

变频器上的(de)制动(dong)单元指的(de)是(shi)用(yong)于控制机(ji)械负载比(bi)较(jiao)重的(de)、制动(dong)速(su)度要(yao)求非常快(kuai)的(de)场合，将(jiang)电(dian)机(ji)所产生(sheng)的(de)再生(sheng)电(dian)能通(tong)过(guo)制动(dong)电(dian)阻消耗掉，或者(zhe)是(shi)将(jiang)再生(sheng)电(dian)能反(fan)馈回(hui)电(dian)源的(de)系统(tong)。

【技术】变频器产生强电磁干扰的原理及解决方法

电子电路中MOS管和IGBT管的识别方法

MOS管(guan)(guan)和IGBT管(guan)(guan)作为现(xian)代电子设备使用(yong)频率较高的(de)(de)新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到(dao)也习以为常。可是MOS管(guan)(guan)和IGBT管(guan)(guan)由于外形(xing)及静态(tai)参数相似的(de)(de)很，有时在选择、判断(duan)、使用(yong)容易出差池。MOS管(guan)(guan)和IGBT管(guan)(guan)可靠的(de)(de)识别方(fang)法为选择、判断(duan)、使用(yong)扫清(qing)障碍。

如何通过设计确保IGBT并联均流？

由于(yu)并联(lian)IGBT自身参(can)数的不一致及电(dian)路(lu)(lu)布(bu)局不对称等，必引起器件电(dian)流分(fen)配不均(jun)，严重时(shi)会(hui)使器件失效甚(shen)至损坏主电(dian)路(lu)(lu)，因此，IGBT并联(lian)的重点是(shi)考(kao)虑(lv)如(ru)何(he)通(tong)过设计确保均(jun)流。目前现有的一些IGBT并联(lian)均(jun)流措施包(bao)括：降额法、栅极(ji)电(dian)阻(zu)匹配法、发射极(ji)电(dian)阻(zu)反馈(kui)法、外加电(dian)感平(ping)衡法等。

变频器中，IGBT模块经常爆炸的原因有哪些?

IGBT是电(dian)力(li)电(dian)子(zi)装置的CPU，在(zai)电(dian)力(li)电(dian)子(zi)变(bian)流和控制中起着(zhe)举(ju)足(zu)轻(qing)重的作用。变(bian)频(pin)器中，IGBT模(mo)块(kuai)更为(wei)重要。但(dan)是，IGBT模(mo)块(kuai)会经常出(chu)现(xian)爆炸的情况。