IGBT是(shi)(shi)电力(li)电子装置的(de)CPU，在电力(li)电子变流和控制中起着(zhe)举足轻(qing)重的(de)作用。变频器中，IGBT模块更为重要。但是(shi)(shi)，IGBT模块会经常出(chu)现爆炸的(de)情况(kuang)。

因为某些原因，模块的(de)(de)(de)损耗十分巨大，热量散不出去(qu)，导致内部温度极高，产生气体，冲破壳体，这就是所(suo)谓(wei)的(de)(de)(de)IGBT爆炸(zha)。下面(mian)，对IGBT爆炸(zha)的(de)(de)(de)原因进行简(jian)明扼(e)要的(de)(de)(de)介绍。

IGBT爆炸(zha)原因(yin)(yin)主要围绕内(nei)部因(yin)(yin)素(su)(su)、人为因(yin)(yin)素(su)(su)、常见因(yin)(yin)素(su)(su)、其他因(yin)(yin)素(su)(su)四方面。

1、内部因素：

从(cong)爆炸的本质是发热功(gong)(gong)率超过(guo)散热功(gong)(gong)率，内部原因应该(gai)就是过(guo)热。

2、人为因素：

●进线接在出线的端(duan)子上

●变频器接错电源

●没按要求接负载

3、常见因素：

●过电流：一种是负载短路，另(ling)一种是控制电路处逻(luo)辑(ji)受干扰(rao)，导(dao)致上下桥臂元件直通。

●绝缘的损坏

●过(guo)电(dian)(dian)压(ya)：通常是线路(lu)杂散电(dian)(dian)感在极高(gao)的di/dt作用下产生的尖峰电(dian)(dian)压(ya)而造成(cheng)，解(jie)决(jue)的办(ban)法(fa)就是设计高(gao)性(xing)能吸(xi)收回路(lu)，降低线路(lu)杂散电(dian)(dian)感。

●过热：IGBT不(bu)能(neng)完全导通(tong)，在有电流的情况(kuang)下元(yuan)件损(sun)耗增大，温(wen)度增加导致损(sun)坏。

●通(tong)讯误码率：通(tong)讯一段时间后，突然的错误信息导(dao)(dao)(dao)(dao)致(zhi)IGBT误导(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)使IGBT爆(bao)(bao)炸(zha);通(tong)讯板FPGA程序运行不(bu)稳定(ding)导(dao)(dao)(dao)(dao)致(zhi)IGBT误导(dao)(dao)(dao)(dao)通(tong)使IGBT爆(bao)(bao)炸(zha)。

4、其他因素：

●电路中(zhong)过(guo)流检(jian)测(ce)电路反应(ying)时间跟不上。

●IGBT短(duan)路保护是通过检(jian)测饱和压降，而留给执(zhi)行机构的(de)时(shi)间一般是10us(8倍过流(liu))在上电的(de)时(shi)候容易烧预充电电阻和制动单(dan)元里的(de)IGBT。

●工艺(yi)问题：铜排校着劲、螺(luo)丝拧不紧等(deng)。

●短时大(da)电流：原因也有很多，比如(ru)死区没设(she)置好、主(zhu)电路过压、吸收电路未做(zuo)好。

●驱动电源也(ye)是(shi)个(ge)应该特别(bie)注意的问题，该隔离加隔离、该滤(lv)波加滤(lv)波。

●电机(ji)冲击反馈电压过大导致IGBT爆炸(zha)。但是对于充(chong)电时爆炸(zha)的(de)情(qing)况发生的(de)概(gai)率不是很大。

●电机(ji)启动时(shi)，输入测电压瞬间跌落，电容(rong)放(fang)电。输入测电压恢复后(hou)电容(rong)充电时(shi)的(de)浪涌电流(liu)过大致使IGBT爆炸(zha)。

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