MOS管(guan)(guan)和(he)IGBT管(guan)(guan)作(zuo)为现代(dai)电子(zi)设备使用(yong)频率(lv)较高的(de)新型(xing)电子(zi)器件，因此在电子(zi)电路中常常碰到(dao)也习以为常。可是MOS管(guan)(guan)和(he)IGBT管(guan)(guan)由(you)于外形(xing)及静态参数相似(si)的(de)很，有时在选择(ze)、判断、使用(yong)容易出差池。MOS管(guan)(guan)和(he)IGBT管(guan)(guan)可靠的(de)识别方法(fa)为选择(ze)、判断、使用(yong)扫清障碍(ai)。

MOS管即MOSFET，中文名(ming)金属氧化(hua)物半导体绝缘栅场效应管。其特性(xing)，输入阻(zu)抗高、开关速度快、热稳定性(xing)好、电(dian)压控制电(dian)流等特性(xing)。

IGBT中文名绝(jue)缘(yuan)栅双极(ji)型场效应晶(jing)(jing)体(ti)管，是MOS管与晶(jing)(jing)体(ti)三(san)极(ji)管的组合(he)，MOS是作(zuo)为(wei)输(shu)入管，而(er)晶(jing)(jing)体(ti)三(san)极(ji)管作(zuo)为(wei)输(shu)出管。于是三(san)极(ji)管的功率(lv)做(zuo)的挺大，因此两(liang)者(zhe)组合(he)后即得到了(le)(le)MOS管的优(you)点又获(huo)得了(le)(le)晶(jing)(jing)体(ti)三(san)极(ji)管的优(you)点。

综(zong)上所述的两种晶体管，是目前电(dian)子(zi)设备使用(yong)频(pin)率(lv)很高(gao)的电(dian)子(zi)元器件(jian)，两者在(zai)外形及(ji)(ji)(ji)静态参(can)数极其相似(si)(si)，某些(xie)电(dian)子(zi)产品是存在(zai)技术垄断， 在(zai)电(dian)路中有(you)时(shi)它们(men)的型(xing)号是被擦掉的，截(jie)止目前，它们(men)在(zai)命名标准及(ji)(ji)(ji)型(xing)号又没有(you)统一标准，而(er)外型(xing)及(ji)(ji)(ji)管脚的排列相似(si)(si)，根本无规律可循，成(cheng)为维修(xiu)过(guo)程中的拦路虎(hu)，如何(he)区分和判(pan)断成(cheng)为必要手(shou)段(duan)。

带(dai)阻(zu)尼(ni)的(de)(de)(de)NPN型(xing)(xing)IGBT管(guan)(guan)与(yu)N沟道增强型(xing)(xing)MOMS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)识别带(dai)阻(zu)尼(ni)的(de)(de)(de)NPN型(xing)(xing)IGBT管(guan)(guan)与(yu)N沟道增强型(xing)(xing)MOMS管(guan)(guan)它们的(de)(de)(de)栅(zha)极(ji)位(wei)(wei)置(zhi)一样(yang)，IGBT管(guan)(guan)的(de)(de)(de)C极(ji)位(wei)(wei)置(zhi)跟MODS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)D极(ji)位(wei)(wei)置(zhi)相对(dui)(dui)应，IGBT管(guan)(guan)的(de)(de)(de)e极(ji)位(wei)(wei)置(zhi)跟MODS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)S极(ji)位(wei)(wei)置(zhi)相对(dui)(dui)应，对(dui)(dui)它们的(de)(de)(de)好坏判断(duan)及(ji)及(ji)区分可以(yi)用动静态测量方(fang)法(fa)来(lai)完成，具体如下。

一、静态测量判断MOS管和IGBT管的好坏

先将两个管(guan)子的管(guan)脚(jiao)短(duan)路放掉静电(dian)，MOS管(guan)的D极(ji)与(yu)S极(ji)之间有(you)个PN接，正向(xiang)(xiang)导通反(fan)向(xiang)(xiang)截止，于是(shi)有(you)Rgd=Rgs=Rds=无(wu)穷(qiong)(qiong)大，Rsd=几千欧(ou)。IGBT管(guan)的G极(ji)到c、e极(ji)的电(dian)阻(zu)(zu)应为无(wu)穷(qiong)(qiong)大，即(ji)(ji)Rgc=Rge=无(wu)穷(qiong)(qiong)大，而IGBT管(guan)的之间有(you)阻(zu)(zu)尼二极(ji)管(guan)的存在，因此(ci)具有(you)单向(xiang)(xiang)导电(dian)反(fan)向(xiang)(xiang)截止特性(xing)，即(ji)(ji)Rce=无(wu)穷(qiong)(qiong)大，Rec=几千欧(ou)。从这里只能(neng)用万用表的电(dian)阻(zu)(zu)档判断(duan)出管(guan)子的好坏，却区(qu)分不(bu)出是(shi)那(nei)种管(guan)子。测量的阻(zu)(zu)值很(hen)小，则(ze)说明(ming)管(guan)子被击(ji)穿，测量阻(zu)(zu)值很(hen)大，说明(ming)管(guan)子内(nei)部断(duan)路。

二、动态测量区分MOS管和IGBT管

先用万用表给管(guan)子的栅极(ji)施(shi)加电压，使场效应管(guan)建立起(qi)沟(gou)道(dao)，然后测(ce)量D、S及c、e之间(jian)的阻(zu)值(zhi)，根据阻(zu)值(zhi)的差异(yi)来区分MOS管(guan)和IGBT管(guan)。

用(yong)万用(yong)表的(de)(de)电(dian)阻档测量(liang)两(liang)个管(guan)(guan)子(zi)的(de)(de)D、S及c、e之(zhi)间的(de)(de)电(dian)阻，由(you)于场效应管(guan)(guan)已(yi)经建(jian)立沟道，Rds=Rsd≈0，而Rce之(zhi)间呈现(xian)电(dian)阻Rce，晶(jing)体三极管(guan)(guan)处于放(fang)大(da)状态的(de)(de)导通(tong)电(dian)阻，Rec为内(nei)部(bu)阻尼二(er)极管(guan)(guan)的(de)(de)导通(tong)电(dian)阻，两(liang)者均为几千欧(ou)。因此(ci)根(gen)据测量(liang)可知，两(liang)个管(guan)(guan)子(zi)的(de)(de)导通(tong)程度不一样，MOS管(guan)(guan)的(de)(de)D、S之(zhi)间电(dian)阻值是远小于IGBT管(guan)(guan)c、e之(zhi)间的(de)(de)电(dian)阻值，于是可以分辨出(chu)MOS与IGBT管(guan)(guan)。

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