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今天小(xiao)编主要对IGBT的(de)驱动(dong)(dong)应(ying)用电(dian)路进行分析阐述(shu)，以混合集成(cheng)电(dian)路EXB841为例，它是一种比较(jiao)典型的(de)驱动(dong)(dong)电(dian)路，不仅能够驱动(dong)(dong)高达400A 600V IGBT和高达 300A 1200V IGBT，而且(qie)模块功能较(jiao)完善，具有单电(dian)源(yuan)、正负偏压(ya)、过流检(jian)测、保(bao)护、软(ruan)关断(duan)等主要特性(xing)。
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在(zai)电磁炉(lu)中(zhong)，IGBT是一个损坏占有率很大(da)的元器件，在(zai)没有查(cha)明故障原因的时候就试机(ji)，会引起IGBT再次损坏。
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IGBT（绝缘栅双极(ji)(ji)(ji)晶体管）是总线(xian)电压(ya)几百至上千伏的应(ying)(ying)用(yong)的理想之选。作为少数载流子(zi)器件，IGBT在该电压(ya)范(fan)围内具备优于MOSFET的导通特性，同(tong)时拥有(you)(you)与MOSFET十分相似的栅极(ji)(ji)(ji)结构，能(neng)实现轻(qing)松控(kong)制。此外，由(you)于无(wu)需采(cai)用(yong)集(ji)成式反(fan)(fan)(fan)向二(er)极(ji)(ji)(ji)管，这使制造商能(neng)够(gou)灵活地选择针对应(ying)(ying)用(yong)优化的快速“复合(he)封装”二(er)极(ji)(ji)(ji)管，这与固(gu)有(you)(you)MOSFET二(er)极(ji)(ji)(ji)管相反(fan)(fan)(fan)，固(gu)有(you)(you)MOSFET二(er)极(ji)(ji)(ji)管的反(fan)(fan)(fan)向恢复电荷Qrr和(he)反(fan)(fan)(fan)向恢复时间(jian)trr会随着额定电压(ya)的升高(gao)而(er)增大。
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近(jin)日(ri)，我司（以下简(jian)称“佳恩半导(dao)体”）收获重大喜报(bao)，继2021年(nian)12月完(wan)成PreA轮融资(zi)后，近(jin)日(ri)再次完(wan)成数千万A轮融资(zi)，本(ben)轮融资(zi)由山东(dong)毅达创业投资(zi)基金(jin)合(he)(he)伙(huo)企业（有限(xian)合(he)(he)伙(huo)）（简(jian)称“毅达资(zi)本(ben)”）独家投资(zi)，融资(zi)资(zi)金(jin)将主要用于(yu)加速(su)功率半导(dao)体芯(xin)片研发、加快产线建设及(ji)人(ren)才团队组建。
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制作一(yi)颗硅晶圆需要(yao)的半导体设备(bei)大致(zhi)有十个，它们(men)分别(bie)是单晶炉(lu)、气(qi)相外延炉(lu)、氧化炉(lu)、磁控溅射台、化学机械抛光(guang)机、光(guang)刻机、离子注入(ru)机、引线键合(he)机、晶圆划片机、晶圆减薄机。
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电感线圈是(shi)由导(dao)线一(yi)圈一(yi)圈地绕在(zai)绝缘(yuan)管(guan)上(shang)，导(dao)线彼此互相(xiang)绝缘(yuan)，而(er)绝缘(yuan)管(guan)可以是(shi)空心的，也可以包含铁芯(xin)或磁粉(fen)芯(xin)，简(jian)称电感。在(zai)电子(zi)制作中(zhong)(zhong)虽然使用得不是(shi)很(hen)多，但它(ta)(ta)们在(zai)电路中(zhong)(zhong)同样重(zhong)要。电感器和(he)电容(rong)器一(yi)样，也是(shi)一(yi)种储能(neng)(neng)元件(jian)，它(ta)(ta)能(neng)(neng)把电能(neng)(neng)转(zhuan)变为磁场(chang)能(neng)(neng)，并(bing)在(zai)磁场(chang)中(zhong)(zhong)储存能(neng)(neng)量。电感器用符(fu)号L表(biao)示，它(ta)(ta)的基本(ben)单位(wei)是(shi)亨利(li)（H），常(chang)用毫亨（mH）为单位(wei)。
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