在(zai)(zai)电(dian)磁(ci)炉中，IGBT是一个损坏占有(you)率很大的元器(qi)件(jian)，在(zai)(zai)没有(you)查明故障原因的时候就试机，会引(yin)起IGBT再次损坏。

1、电容故障

0.3UF电(dian)容(rong)失(shi)效(xiao)，或漏电(dian)， 和400V电(dian)容(rong)容(rong)量变小的时候，将导致(zhi)电(dian)磁(ci)炉，LC震(zhen)荡电(dian)路频率偏高(gao)，从而引(yin)起IGBT损坏(huai)。经(jing)检查其他元件(jian)无问题的时候 ，更(geng)换0.3UF和400V电(dian)容(rong)。

2、IGBT管控制电路

激(ji)励(li)(li)电(dian)路异常，震荡电(dian)路输出的脉冲信(xin)号(hao)(hao)，不能直接(jie)控制IGBT饱和(he)，导(dao)通和(he)截(jie)止，必(bi)须(xu)通过激(ji)励(li)(li)脉冲信(xin)号(hao)(hao)放大来完(wan)成。如果激(ji)励(li)(li)信(xin)号(hao)(hao)出现问题，高电(dian)压(ya)就回加到IGBT管的G级，导(dao)致IGBT瞬间(jian)击穿(chuan)，损坏。

3、同步电路

同步电(dian)路(lu)异(yi)常，同步电(dian)路(lu)在电(dian)磁(ci)炉中的(de)主(zhu)要作用(yong)是(shi)保证(zheng)加到(dao)IGBT管G级上(shang)的(de)开关脉(mai)冲(chong)前言与IGBT管上(shang)VCE脉(mai)冲(chong)后(hou)延同步当同步电(dian)路(lu)工作出现异(yi)样，导致IGBT管瞬间击(ji)穿。

4、18V工作电路

18V电压异常(chang)，在电磁炉中18V电压出现时，会使IGBT管激励电路，风(feng)扇散热系统及LM339工作失常(chang)导致IGBT上电瞬间损坏。

5、散热系统

散热(re)系统(tong)异常。电磁炉工(gong)作在大(da)电流(liu)状态下，其发(fa)热(re)量也大(da)，如(ru)果(guo)散热(re)系统(tong)出现异常，会导致IGBT过(guo)热(re)损坏。

6、集成芯片

单片(pian)机异(yi)常(chang)，单片(pian)机内部会因为(wei)工作(zuo)频率异(yi)常(chang)而烧毁(hui)IGBT。

7、VCE检测电路

VCE检(jian)测电(dian)(dian)(dian)路异(yi)常(chang)(chang)，VCE检(jian)测电(dian)(dian)(dian)磁炉将IGBT官集电(dian)(dian)(dian)极(ji)上的(de)(de)脉冲电(dian)(dian)(dian)压(ya)通过，电(dian)(dian)(dian)阻分压(ya)，取样获得去=取样电(dian)(dian)(dian)压(ya)，此电(dian)(dian)(dian)压(ya)的(de)(de)信息变化传(chuan)到CPU，CPU监测电(dian)(dian)(dian)压(ya)的(de)(de)变化，做出(chu)各种(zhong)相应的(de)(de)指令，当VCE检(jian)测电(dian)(dian)(dian)路出(chu)现故障(zhang)的(de)(de)时候(hou)，VEC脉冲幅(fu)度(du)。超过IGBT管(guan)的(de)(de)极(ji)限值，从(cong)而(er)导致IGBT损坏。用户锅(guo)具变形(xing)，或锅(guo)低(di)凸(tu)起不(bu)平(ping)，在锅(guo)低(di)产生(sheng)的(de)(de)涡流，不(bu)能均匀的(de)(de)使(shi)(shi)变形(xing)的(de)(de)锅(guo)具加热(re)(re)，从(cong)而(er)使(shi)(shi)锅(guo)具温度(du)传(chuan)感器，检(jian)温失常(chang)(chang)，CPU因检(jian)测不(bu)到，异(yi)常(chang)(chang)温度(du)信号，而(er)继续加热(re)(re)，导致IGBT损坏。

8、用户锅具问题

用户锅具变形，或锅低凸起不平，在锅低产生的涡流不能均匀的使变形的锅具加热，从而使锅具温度传感器，检温失常，CPU因检测不到、异常温度信号，而继续加热，导致IGBT损坏。

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