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IGBT的(de)开(kai)关过程主要是由(you)栅(zha)(zha)极电压VGE控制的(de)，由(you)于(yu)栅(zha)(zha)极和发射(she)极之(zhi)间存在着(zhe)寄生电容艮，因(yin)此IGBT的(de)开(kai)通与关断(duan)就相当于(yu)对(dui)CGE进行充电与放(fang)电。假(jia)设(she)IGBT初始状态为(wei)(wei)关断(duan)状态，即(ji)VGE为(wei)(wei)负压VGC-，后级(ji)输出(chu)为(wei)(wei)阻(zu)感性负载，带有续流二极管。那么对(dui)于(yu)IGBT开(kai)关时(shi)间的(de)定义(yi)，你又了解多少？具体如下。
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电(dian)容(rong)(rong)(rong)是(shi)(shi)表征电(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)容(rong)(rong)(rong)纳电(dian)荷的(de)(de)本领的(de)(de)物理量。我(wo)们把(ba)电(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)的(de)(de)两极板间(jian)的(de)(de)电(dian)势(shi)差增加1伏所(suo)需的(de)(de)电(dian)量，叫做电(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)的(de)(de)电(dian)容(rong)(rong)(rong)。电(dian)容(rong)(rong)(rong)的(de)(de)符号是(shi)(shi)C。电(dian)容(rong)(rong)(rong)是(shi)(shi)电(dian)子设备中大量使用的(de)(de)电(dian)子元件之一，广泛应用于(yu)隔直，耦合，旁(pang)路(lu)(lu)，滤波，调谐回路(lu)(lu)，能量转(zhuan)换，控(kong)制电(dian)路(lu)(lu)等(deng)方面。用C表示(shi)电(dian)容(rong)(rong)(rong)，电(dian)容(rong)(rong)(rong)单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮(pi)法拉（pF）,1F=10*6uF=10*12pF
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众(zhong)所周(zhou)知(zhi)，硅(gui)晶圆是制造半导体(ti)器件和(he)芯片的(de)基本材料(liao)，而且在产业中(zhong)扮演着(zhe)举足轻重(zhong)(zhong)的(de)地(di)位，可(ke)以说硅(gui)是当今(jin)最重(zhong)(zhong)要、应用最广(guang)泛的(de)半导体(ti)材料(liao)。
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光伏(fu)逆(ni)(ni)变(bian)器(qi)是(shi)光伏(fu)系统非常重要的一(yi)个设(she)备，主要作用(yong)是(shi)把光伏(fu)组件(jian)发出来的直流电变(bian)成交流电，除此之外，逆(ni)(ni)变(bian)器(qi)还(hai)承担(dan)检测组件(jian)、电网(wang)、电缆运(yun)行状态，和外界通(tong)信交流，系统安全管(guan)家等重要功能(neng)。一(yi)款全新逆(ni)(ni)变(bian)器(qi)的产(chan)出需要两年(nian)多的时(shi)间，前期(qi)需要投入大量(liang)的人(ren)力(li)和物力(li)去研发和测试。
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逆变器(qi)的场效应管工作于开关状态，并(bing)且流过管子(zi)(zi)的电流很(hen)大，若管子(zi)(zi)选型不(bu)合适、驱动电压幅度不(bu)够(gou)大或(huo)电路的散热不(bu)好，皆可导(dao)致(zhi)场效应管发热。
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变频器的(de)过(guo)流故障可(ke)分(fen)为(wei)短(duan)路(lu)、轻(qing)载、重载、加速、减(jian)速、恒(heng)速过(guo)电流，分(fen)析变频器出现过(guo)流故障的(de)原因应(ying)从两方(fang)面来考虑：一是外部(bu)原因；二是变频器本身的(de)原因。
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