mos管(guan)(guan)是金属—氧化(hua)(hua)物(wu)-半(ban)导体(ti)场效应(ying)晶体(ti)管(guan)(guan)，或(huo)者(zhe)称是金属—绝缘(yuan)体(ti)—半(ban)导体(ti)。MOS管(guan)(guan)的(de)(de)source和drain是可(ke)以对(dui)调(diao)的(de)(de)，他们都是在P型backgate中形成的(de)(de)N型区。在多数(shu)情况下，这(zhei)个两个区是一(yi)样的(de)(de)，即使两端对(dui)调(diao)也不会影响器(qi)件的(de)(de)性(xing)能(neng)。这(zhei)样的(de)(de)器(qi)件被(bei)认为是对(dui)称的(de)(de)。双极型晶体(ti)管(guan)(guan)把输入(ru)(ru)端电(dian)流(liu)的(de)(de)微(wei)小(xiao)变(bian)化(hua)(hua)放大后，在输出(chu)(chu)端输出(chu)(chu)一(yi)个大的(de)(de)电(dian)流(liu)变(bian)化(hua)(hua)。双极型晶体(ti)管(guan)(guan)的(de)(de)增益就定义为输出(chu)(chu)输入(ru)(ru)电(dian)流(liu)之比。另一(yi)种晶体(ti)管(guan)(guan)，叫做场效应(ying)管(guan)(guan)，把输入(ru)(ru)电(dian)压的(de)(de)变(bian)化(hua)(hua)转化(hua)(hua)为输出(chu)(chu)电(dian)流(liu)的(de)(de)变(bian)化(hua)(hua)。

用指针式万用表对MOS管进行判别，具体如下。

(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极

根(gen)据场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管的(de)PN结正、反(fan)向电(dian)阻值不一样的(de)现象，可以判别(bie)出结型场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)管的(de)三个电(dian)极。

具体(ti)方法(fa)：将(jiang)万用表(biao)拨在R×1k档上(shang)，任选两个电极(ji)，分别(bie)测出其正、反向电阻值。当某(mou)两个电极(ji)的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆(mu)时(shi)，则该两个电极(ji)分别(bie)是漏极(ji)D和源极(ji)S。因为对(dui)结型场效(xiao)应管而言(yan)，漏极(ji)和源极(ji)可(ke)互换，剩(sheng)下的电极(ji)肯(ken)定是栅极(ji)G。

也可(ke)(ke)以(yi)将万用表(biao)的(de)黑(hei)(hei)表(biao)笔(bi)(红(hong)表(biao)笔(bi)也行)任意接(jie)触一个(ge)电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)，另(ling)一只表(biao)笔(bi)依次去接(jie)触其余(yu)的(de)两(liang)(liang)(liang)个(ge)电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)，测(ce)其电(dian)阻值。当出现两(liang)(liang)(liang)次测(ce)得(de)的(de)电(dian)阻值近似相等时(shi)，则黑(hei)(hei)表(biao)笔(bi)所接(jie)触的(de)电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)为栅极(ji)(ji)(ji)(ji)，其余(yu)两(liang)(liang)(liang)电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)分别为漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)(ji)。若(ruo)(ruo)(ruo)两(liang)(liang)(liang)次测(ce)出的(de)电(dian)阻值均很大，说(shuo)明(ming)是(shi)PN结(jie)的(de)反向(xiang)(xiang)，即(ji)都是(shi)反向(xiang)(xiang)电(dian)阻，可(ke)(ke)以(yi)判(pan)定是(shi)N沟道场效(xiao)应管(guan)，且黑(hei)(hei)表(biao)笔(bi)接(jie)的(de)是(shi)栅极(ji)(ji)(ji)(ji);若(ruo)(ruo)(ruo)两(liang)(liang)(liang)次测(ce)出的(de)电(dian)阻值均很小(xiao)，说(shuo)明(ming)是(shi)正(zheng)向(xiang)(xiang)PN结(jie)，即(ji)是(shi)正(zheng)向(xiang)(xiang)电(dian)阻，判(pan)定为P沟道场效(xiao)应管(guan)，黑(hei)(hei)表(biao)笔(bi)接(jie)的(de)也是(shi)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)。若(ruo)(ruo)(ruo)不出现上(shang)述情况，可(ke)(ke)以(yi)调换黑(hei)(hei)、红(hong)表(biao)笔(bi)按上(shang)述方法进(jin)行测(ce)试(shi)，直到判(pan)别出栅极(ji)(ji)(ji)(ji)为止。 

(2)用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法检(jian)测MOS管是用万用表测量场效应管的源极(ji)与漏极(ji)、栅极(ji)与源极(ji)、栅极(ji)与漏极(ji)、栅极(ji)G1与栅极(ji)G2之间的电阻值同场效应管手册标明(ming)的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用(yong)(yong)表(biao)置(zhi)于R×10或(huo)R×100档，测(ce)(ce)量源极(ji)(ji)(ji)(ji)S与漏极(ji)(ji)(ji)(ji)D之间(jian)的(de)电阻(zu)(zu)(zu)(zu)，通(tong)常在(zai)几十欧到(dao)几千欧范围(在(zai)手册中可(ke)知，各(ge)(ge)(ge)种不(bu)同型号的(de)管，其电阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)是各(ge)(ge)(ge)不(bu)相同的(de))，如(ru)果(guo)测(ce)(ce)得(de)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)大于正常值(zhi)(zhi)，可(ke)能(neng)是由(you)于内(nei)部(bu)接触不(bu)良;如(ru)果(guo)测(ce)(ce)得(de)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)是无(wu)穷大，可(ke)能(neng)是内(nei)部(bu)断极(ji)(ji)(ji)(ji)。然(ran)后把万用(yong)(yong)表(biao)置(zhi)于R×10k档，再(zai)测(ce)(ce)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)G1与G2之间(jian)、栅极(ji)(ji)(ji)(ji)与源极(ji)(ji)(ji)(ji)、栅极(ji)(ji)(ji)(ji)与漏极(ji)(ji)(ji)(ji)之间(jian)的(de)电阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)，当测(ce)(ce)得(de)其各(ge)(ge)(ge)项电阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)均为(wei)(wei)无(wu)穷大，则(ze)说(shuo)明管是正常的(de);若测(ce)(ce)得(de)上述各(ge)(ge)(ge)阻(zu)(zu)(zu)(zu)值(zhi)(zhi)太小(xiao)或(huo)为(wei)(wei)通(tong)路(lu)，则(ze)说(shuo)明管是坏的(de)。要注(zhu)意，若两个栅极(ji)(ji)(ji)(ji)在(zai)管内(nei)断极(ji)(ji)(ji)(ji)，可(ke)用(yong)(yong)元(yuan)件(jian)代(dai)换法进行检测(ce)(ce)。

(3)用感应(ying)信号输(shu)人法估测场效(xiao)应(ying)管的放(fang)大(da)能力

具体方法：用(yong)万用(yong)表(biao)电(dian)阻(zu)的(de)(de)(de)R×100档(dang)，红表(biao)笔(bi)接源(yuan)极(ji)S，黑(hei)表(biao)笔(bi)接漏极(ji)D，给场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)加(jia)上1.5V的(de)(de)(de)电(dian)源(yuan)电(dian)压(ya)，此时表(biao)针指示(shi)出的(de)(de)(de)漏源(yuan)极(ji)间(jian)的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)值。然后(hou)用(yong)手捏住结型场效应(ying)(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)栅(zha)(zha)极(ji)G，将(jiang)人体的(de)(de)(de)感(gan)应(ying)(ying)电(dian)压(ya)信号加(jia)到栅(zha)(zha)极(ji)上。这样(yang)，由于管(guan)(guan)的(de)(de)(de)放(fang)大作用(yong)，漏源(yuan)电(dian)压(ya)VDS和漏极(ji)电(dian)流(liu)Ib都(dou)要发(fa)生变化，也(ye)就是(shi)漏源(yuan)极(ji)间(jian)电(dian)阻(zu)发(fa)生了变化，由此可以观察到表(biao)针有较(jiao)大幅度的(de)(de)(de)摆动。如果手捏栅(zha)(zha)极(ji)表(biao)针摆动较(jiao)小，说(shuo)明(ming)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)放(fang)大能力较(jiao)差(cha);表(biao)针摆动较(jiao)大，表(biao)明(ming)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)放(fang)大能力大;若表(biao)针不动，说(shuo)明(ming)管(guan)(guan)是(shi)坏的(de)(de)(de)。

根据(ju)上(shang)述方(fang)法(fa)，我(wo)们用(yong)(yong)万用(yong)(yong)表(biao)(biao)的R×100档，测(ce)(ce)结(jie)型场效应(ying)管3DJ2F。先将管的G极开(kai)路(lu)，测(ce)(ce)得漏源电(dian)阻(zu)(zu)RDS为600Ω，用(yong)(yong)手捏住G极后，表(biao)(biao)针向左摆(bai)动，指(zhi)示的电(dian)阻(zu)(zu)RDS为12kΩ，表(biao)(biao)针摆(bai)动的幅度较大，说明该管是好的，并有(you)较大的放(fang)大能(neng)力。

(4) 用测电阻法判别无标志的场效应管

首先(xian)用测(ce)量电(dian)阻(zu)(zu)的(de)方法检测(ce)MOS管(guan)得(de)找出两(liang)(liang)(liang)个有电(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)的(de)管(guan)脚，也就是源(yuan)极(ji)S和(he)漏极(ji)D，余下(xia)两(liang)(liang)(liang)个脚为第(di)一(yi)栅极(ji)G1和(he)第(di)二(er)栅极(ji)G2。把(ba)(ba)先(xian)用两(liang)(liang)(liang)表(biao)笔测(ce)的(de)源(yuan)极(ji)S与漏极(ji)D之间的(de)电(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)记(ji)下(xia)来，对调(diao)表(biao)笔再(zai)测(ce)量一(yi)次，把(ba)(ba)其测(ce)得(de)电(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)记(ji)下(xia)来，两(liang)(liang)(liang)次测(ce)得(de)阻(zu)(zu)值(zhi)较大的(de)一(yi)次，黑表(biao)笔所接的(de)电(dian)极(ji)为漏极(ji)D;红表(biao)笔所接的(de)为源(yuan)极(ji)S。

用(yong)这种方法(fa)(fa)判别出来的S、D极，还可以用(yong)估测(ce)其管的放大(da)能(neng)力的方法(fa)(fa)进行(xing)验证，即(ji)放大(da)能(neng)力大(da)的黑表(biao)笔(bi)(bi)所(suo)接(jie)的是D极;红表(biao)笔(bi)(bi)所(suo)接(jie)地是8级(ji)极，两种方法(fa)(fa)检测(ce)结果均(jun)应(ying)一样。当确定了漏极D、源极S的位(wei)(wei)置后(hou)，按D、S的对应(ying)位(wei)(wei)置装人(ren)电路，一般(ban)G1、G2也会依次对准位(wei)(wei)置，这就(jiu)确定了两个栅极G1、G2的位(wei)(wei)置，从而就(jiu)确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。

(5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对(dui)VMOSN沟道增强型场效应(ying)管测(ce)(ce)量跨导性能时(shi)(shi)，可用红表(biao)笔(bi)接源极(ji)(ji)S、黑表(biao)笔(bi)接漏极(ji)(ji)D，这(zhei)就相当于在(zai)(zai)源、漏极(ji)(ji)之间加(jia)了一个反向(xiang)电压。此(ci)时(shi)(shi)栅极(ji)(ji)是(shi)(shi)开路的(de)，管的(de)反向(xiang)电阻值(zhi)是(shi)(shi)很不稳定的(de)。将(jiang)万用表(biao)的(de)欧姆(mu)档选在(zai)(zai)R×10kΩ的(de)高(gao)阻档，此(ci)时(shi)(shi)表(biao)内电压较高(gao)。当用手接触栅极(ji)(ji)G时(shi)(shi)，会发现管的(de)反向(xiang)电阻值(zhi)有明显地变化(hua)(hua)，其(qi)变化(hua)(hua)越大(da)(da)，说明管的(de)跨导值(zhi)越高(gao);如果被测(ce)(ce)管的(de)跨导很小(xiao)，用此(ci)法测(ce)(ce)时(shi)(shi)，反向(xiang)阻值(zhi)变化(hua)(hua)不大(da)(da)。

(6)管脚测定MOS管好坏

①栅极G的测(ce)定(ding)：用(yong)万(wan)用(yong)表R&TImes;100档，测(ce)任意两(liang)脚(jiao)之间正反(fan)向电阻，若其中(zhong)某次测(ce)得电阻为(wei)数百Ω，则(ze)两(liang)脚(jiao)是D、S，第三(san)脚(jiao)为(wei)G。

②漏极D、源极S及类(lei)型(xing)判定：用(yong)(yong)万用(yong)(yong)表R&TImes;10kΩ档测D、S问正(zheng)反向(xiang)电(dian)阻(zu)，正(zheng)向(xiang)电(dian)阻(zu)约为0.2&TImes;10kΩ，反向(xiang)电(dian)阻(zu)(5一∞)X100kΩ。在测反向(xiang)电(dian)阻(zu)时，红(hong)表笔不动，黑表笔脱(tuo)离引(yin)脚后，与G碰一下(xia)，然后回(hui)去再接原(yuan)引(yin)脚，出现两种(zhong)情况：

a.若(ruo)读数由原来较大(da)值变(bian)为(wei)0，则红表(biao)(biao)笔(bi)(bi)所(suo)接为(wei)S，黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)为(wei)D。用黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)(bi)接触G有效(xiao)，使MOS管(guan)D、S间正反向电阻值均为(wei)0Ω，还可(ke)证明该(gai)管(guan)为(wei)N沟(gou)道。

b.若读数仍为较大(da)值，黑(hei)表(biao)(biao)笔不动，改用红表(biao)(biao)笔接(jie)触G，碰(peng)一下之后立即回(hui)到原(yuan)脚，此时若读数为0Ω，则黑(hei)表(biao)(biao)笔接(jie)的(de)是S极、红表(biao)(biao)笔为D极，用红表(biao)(biao)笔接(jie)触G极有效，该(gai)MOS管为P沟道(dao)。

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