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利用IGBT双脉冲测试电路，改变电压及电流测量(liang)探头的(de)位(wei)置，即可对IGBT并联的(de)续(xu)流二极管（即FRD）的(de)相关参数进行(xing)测量(liang)与评估(gu)。
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今天小(xiao)编主要对IGBT的驱(qu)动(dong)应用电(dian)(dian)路进行分析阐述(shu)，以混合集成(cheng)电(dian)(dian)路EXB841为例，它是一种比较典型的驱(qu)动(dong)电(dian)(dian)路，不仅(jin)能够驱(qu)动(dong)高达(da)400A 600V IGBT和高达(da) 300A 1200V IGBT，而且模(mo)块功能较完善，具(ju)有单电(dian)(dian)源、正负偏压、过流检测、保护、软关断等主要特性。
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在电(dian)磁炉中，IGBT是一个(ge)损(sun)(sun)坏占有率(lv)很大(da)的(de)元器(qi)件，在没有查明故障原因(yin)的(de)时候就试机(ji)，会引起IGBT再次损(sun)(sun)坏。
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IGBT（绝缘栅(zha)(zha)双极(ji)晶体管(guan)(guan)）是总线电(dian)压(ya)几百至(zhi)上千伏的(de)(de)(de)应用的(de)(de)(de)理(li)想之选(xuan)(xuan)。作为少数载(zai)流子器(qi)件，IGBT在该电(dian)压(ya)范围内具备优于MOSFET的(de)(de)(de)导(dao)通特(te)性，同时拥(yong)有与MOSFET十分(fen)相似的(de)(de)(de)栅(zha)(zha)极(ji)结构，能实现轻松(song)控制。此外(wai)，由于无需(xu)采用集成式反向二极(ji)管(guan)(guan)，这使(shi)制造(zao)商能够灵活地选(xuan)(xuan)择针对应用优化的(de)(de)(de)快(kuai)速“复合(he)封装”二极(ji)管(guan)(guan)，这与固(gu)有MOSFET二极(ji)管(guan)(guan)相反，固(gu)有MOSFET二极(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)反向恢复电(dian)荷Qrr和反向恢复时间trr会随着额定电(dian)压(ya)的(de)(de)(de)升高而增大(da)。
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制(zhi)作一颗硅晶(jing)(jing)圆(yuan)(yuan)需(xu)要(yao)的半导体设备大(da)致有十个，它们分(fen)别(bie)是单晶(jing)(jing)炉(lu)(lu)、气相外延炉(lu)(lu)、氧化炉(lu)(lu)、磁(ci)控溅射台、化学(xue)机(ji)械抛光(guang)机(ji)、光(guang)刻机(ji)、离子注入机(ji)、引(yin)线键(jian)合机(ji)、晶(jing)(jing)圆(yuan)(yuan)划(hua)片(pian)机(ji)、晶(jing)(jing)圆(yuan)(yuan)减薄机(ji)。
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电感(gan)线圈(quan)是由导线一圈(quan)一圈(quan)地绕(rao)在绝缘管(guan)上(shang)，导线彼此互(hu)相绝缘，而(er)绝缘管(guan)可以是空心的，也(ye)可以包含铁芯或磁(ci)粉芯，简(jian)称电感(gan)。在电子制作中虽然使用(yong)得不是很(hen)多，但它们在电路(lu)中同(tong)样(yang)重要。电感(gan)器(qi)和电容(rong)器(qi)一样(yang)，也(ye)是一种储能(neng)元(yuan)件，它能(neng)把(ba)电能(neng)转变为磁(ci)场(chang)能(neng)，并在磁(ci)场(chang)中储存能(neng)量(liang)。电感(gan)器(qi)用(yong)符号L表示，它的基本单位是亨(heng)利（H），常用(yong)毫(hao)亨(heng)（mH）为单位。
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