变频器主回路、电源回路、IGBT驱动、冷却风扇等常见故障分析

变频器由主回(hui)(hui)路(lu)(lu)、电源回(hui)(hui)路(lu)(lu)、IGBT驱动(dong)及(ji)保护回(hui)(hui)路(lu)(lu)、冷却风扇(shan)等几部(bu)分组成。其结构(gou)多为单(dan)元化(hua)(hua)或模块(kuai)化(hua)(hua)形式。由于使用方法不正确或设置环境不合理，将容易造成变频器误动(dong)作及(ji)发生故障(zhang)(zhang)，或者无法满足预(yu)期(qi)的(de)运行(xing)效果。为防患于未然，事先对故障(zhang)(zhang)原因进行(xing)认真分析尤为重要。

变频器上的制动单元是什么？有哪些特点？

变频器上的(de)制(zhi)(zhi)动(dong)单(dan)元指(zhi)的(de)是用(yong)于控制(zhi)(zhi)机(ji)械负载比(bi)较重的(de)、制(zhi)(zhi)动(dong)速度要求非常快的(de)场合，将电(dian)(dian)机(ji)所(suo)产生的(de)再(zai)生电(dian)(dian)能通过制(zhi)(zhi)动(dong)电(dian)(dian)阻消耗(hao)掉，或者是将再(zai)生电(dian)(dian)能反馈回电(dian)(dian)源的(de)系(xi)统。

【技术】变频器产生强电磁干扰的原理及解决方法

电子电路中MOS管和IGBT管的识别方法

MOS管(guan)和(he)(he)IGBT管(guan)作为(wei)现代(dai)电(dian)(dian)子设备使(shi)用频率(lv)较高的新(xin)型电(dian)(dian)子器(qi)件，因(yin)此在电(dian)(dian)子电(dian)(dian)路中常常碰到(dao)也习以(yi)为(wei)常。可是(shi)MOS管(guan)和(he)(he)IGBT管(guan)由于外形及静(jing)态参数相似的很，有时在选择、判断、使(shi)用容易(yi)出(chu)差池。MOS管(guan)和(he)(he)IGBT管(guan)可靠(kao)的识(shi)别方(fang)法为(wei)选择、判断、使(shi)用扫清障(zhang)碍(ai)。

如何通过设计确保IGBT并联均流？

由于(yu)并(bing)联(lian)IGBT自身参数的(de)不(bu)一(yi)致及电路布局(ju)不(bu)对称等，必引起(qi)器(qi)件电流分配不(bu)均，严重(zhong)时会使器(qi)件失效甚至损坏主电路，因(yin)此，IGBT并(bing)联(lian)的(de)重(zhong)点是(shi)考(kao)虑如何通过设计确保均流。目前现有的(de)一(yi)些IGBT并(bing)联(lian)均流措施包(bao)括：降额法(fa)(fa)、栅极电阻匹配法(fa)(fa)、发射极电阻反(fan)馈法(fa)(fa)、外加电感平衡法(fa)(fa)等。

变频器中，IGBT模块经常爆炸的原因有哪些?

IGBT是电(dian)力电(dian)子装置的CPU，在电(dian)力电(dian)子变流和控制中(zhong)起着举(ju)足(zu)轻重的作(zuo)用(yong)。变频器中(zhong)，IGBT模块更为重要。但是，IGBT模块会(hui)经常出现爆炸的情况。