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青岛佳恩半导体有限公司(总部)

  • 电子元器件的基础知识有哪些?
    2022.06.14

    电子元器件的基础知识有哪些?

    ​电(dian)(dian)路(lu)中的(de)电(dian)(dian)阻用R和(he)数字表(biao)示,如R15表(biao)示15的(de)电(dian)(dian)阻。电(dian)(dian)路(lu)中电(dian)(dian)阻的(de)主要功(gong)能是分流、限流、分压、偏置、滤波(bo)器(与电(dian)(dian)容器一起使用)和(he)电(dian)(dian)阻匹(pi)配。

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  • 干货|场效应管的参数及测试
    2022.05.31

    干货|场效应管的参数及测试

    其实,有关场效应管的(de)参数很多,包括直流参数、交流参数和极限(xian)参数,但一般使用时(shi)关注(zhu)以下主(zhu)要(yao)参数:

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  • 常用场效应管和MOS场效应管的检测方法,来啦!
    2022.05.27

    常用场效应管和MOS场效应管的检测方法,来啦!

    场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)分结型、绝(jue)(jue)缘栅(zha)型两大类。结型场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(JFET)因有(you)两个PN结而得(de)名(ming),绝(jue)(jue)缘栅(zha)型场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)(JGFET)则因栅(zha)极(ji)与其它电(dian)极(ji)完全绝(jue)(jue)缘而得(de)名(ming)。目前在(zai)绝(jue)(jue)缘栅(zha)型场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)中,应(ying)(ying)用(yong)最为广泛(fan)的是MOS场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan),简称MOS管(guan)(即金属-氧化物-半导体(ti)场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)MOSFET);此外(wai)还(hai)有(you)PMOS、NMOS和VMOS功率场(chang)(chang)效(xiao)应(ying)(ying)管(guan)等。

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  • 肖特基二极管与快恢复整流二极管的性能比较
    2022.05.20

    肖特基二极管与快恢复整流二极管的性能比较

    ​随(sui)着大规模集成(cheng)电路的(de)(de)发展,电子设备(bei)的(de)(de)体积和重(zhong)量(liang)越来越小,而传统的(de)(de)连续(xu)式申(shen)联稳压电源(yuan)(yuan)由于(yu)体积大、效(xiao)率低则不能满足整机的(de)(de)优(you)化设计。开关电源(yuan)(yuan)是(shi)体积小、重(zhong)量(liang)轻、可靠(kao)性(xing)高(gao)的(de)(de)新型电源(yuan)(yuan),具有功耗低、效(xiao)率高(gao)的(de)(de)突出(chu)优(you)点,其效(xiao)率可达75%以上。开关电源(yuan)(yuan)取(qu)代线性(xing)电源(yuan)(yuan)是(shi)工业发展的(de)(de)必然趋势。

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  • 由IGBT构成的中频加热电源逆变器的相关介绍
    2022.05.13

    由IGBT构成的中频加热电源逆变器的相关介绍

    为了获取(qu)不同的(de)输(shu)出功率(lv)以控(kong)制(zhi)加(jia)(jia)热(re)负载的(de)温度,被控(kong)制(zhi)的(de)参数实际(ji)上是负载两端的(de)中频电压有效值(zhi)(zhi)。该电压有效值(zhi)(zhi)近似于斩波器输(shu)出的(de)直流电压U。因此控(kong)制(zhi)斩波器电压值(zhi)(zhi),即可控(kong)制(zhi)逆变器的(de)输(shu)出功率(lv),亦即控(kong)制(zhi)被加(jia)(jia)热(re)负载的(de)温度。

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  • IGBT模块中氮化铝陶瓷基板的应用
    2022.05.10

    IGBT模块中氮化铝陶瓷基板的应用

    IGBT模块(kuai)(kuai)是由IGBT(绝(jue)缘栅双极型晶体管芯(xin)片(pian))与(yu)FWD(续(xu)流二极管芯(xin)片(pian))通(tong)过特(te)定(ding)的(de)电路桥接封装(zhuang)而成的(de)模块(kuai)(kuai)化半导体产品。封装(zhuang)后的(de)IGBT模块(kuai)(kuai)直接应用于变频器、UPS不间断(duan)电源等设备上(shang)(shang),具有节能、安(an)装(zhuang)维修方(fang)便、散热稳定(ding)等特(te)点,当(dang)前(qian)市场上(shang)(shang)销售的(de)多为此(ci)(ci)类(lei)(lei)模块(kuai)(kuai)化产品,并且随着节能环保等理(li)念的(de)推进,此(ci)(ci)类(lei)(lei)产品在市场上(shang)(shang)将越来越多见。IGBT是能源变换与(yu)传输的(de)核心(xin)器件,俗(su)称电力电子装(zhuang)置的(de)“CPU”,作为国(guo)家战略(lve)性新(xin)兴(xing)产业,在轨道交(jiao)通(tong)、智能电网、航空航天(tian)、电动汽车(che)与(yu)新(xin)能源装(zhuang)备等领域应用极广。

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