其实，有关场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：

1、I DSS — 饱和漏源(yuan)电(dian)流(liu)。是指结型或耗尽(jin)型绝缘栅(zha)场(chang)效应(ying)管中，栅(zha)极电(dian)压U GS=0时(shi)的漏源(yuan)电(dian)流(liu)。

2、UP — 夹断电压(ya)。是指结型或(huo)耗尽型绝缘栅(zha)(zha)场效应管中(zhong)，使漏源间刚(gang)截止时的栅(zha)(zha)极电压(ya)。

3、UT — 开启电压。是(shi)指(zhi)增强型绝(jue)缘栅场效管中，使漏源间刚导通(tong)时的栅极电压。

4、gM — 跨导。是表示(shi)栅(zha)源(yuan)电压U GS — 对漏极(ji)电流ID的(de)控制(zhi)能(neng)力，即漏极(ji)电流I D变化量与栅(zha)源(yuan)电压UGS变化量的(de)比值。gM 是衡量场效应(ying)管放大能(neng)力的(de)重要参数。

5、BUDS — 漏(lou)源(yuan)击穿电(dian)压。是指栅(zha)源(yuan)电(dian)压UGS一定时(shi)，场效应管正(zheng)常工(gong)作(zuo)所能承受的(de)最大漏(lou)源(yuan)电(dian)压。这(zhei)是一项极限参数，加在场效应管上的(de)工(gong)作(zuo)电(dian)压必须小于BUDS。

6、PDSM — 最大耗散功(gong)率。也是一项极限参数，是指场(chang)效(xiao)应管性(xing)能不变(bian)坏时所允许的最大漏(lou)源耗散功(gong)率。使用时，场(chang)效(xiao)应管实际功(gong)耗应小于PDSM并(bing)留有(you)一定余量。

7、IDSM — 最(zui)大(da)漏(lou)源(yuan)电(dian)流。是一项极限参数，是指场效(xiao)应(ying)管正常工作(zuo)时，漏(lou)源(yuan)间(jian)所允许(xu)通过的最(zui)大(da)电(dian)流。场效(xiao)应(ying)管的工作(zuo)电(dian)流不(bu)应(ying)超过IDSM。

场效应管的作用

1、场效(xiao)应管(guan)可应用于放大。由(you)于场效(xiao)应管(guan)放大器的输(shu)入阻(zu)抗很高(gao)，因此耦合电容(rong)(rong)可以容(rong)(rong)量(liang)较小，不必使(shi)用电解电容(rong)(rong)器。

2、场效应管很高的输入阻(zu)抗(kang)(kang)非常(chang)适合作阻(zu)抗(kang)(kang)变换(huan)。常(chang)用于多(duo)级放(fang)大器的输入级作阻(zu)抗(kang)(kang)变换(huan)。

3、场效应管可以用作可变电阻。

4、场效应管可以方便地用(yong)作(zuo)恒(heng)流(liu)源(yuan)。

5、场效应管可以(yi)用作电子开关(guan)。

场效应管的测试

1、结型场效应管的管脚识别

场(chang)效应管(guan)(guan)的(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)相当(dang)于晶体管(guan)(guan)的(de)(de)(de)基极(ji)(ji)(ji)(ji)，源极(ji)(ji)(ji)(ji)和漏极(ji)(ji)(ji)(ji)分别对应于晶体管(guan)(guan)的(de)(de)(de)发(fa)射极(ji)(ji)(ji)(ji)和集电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)。将万用(yong)表(biao)置于R×1k档，用(yong)两(liang)(liang)表(biao)笔分别测量每(mei)两(liang)(liang)个管(guan)(guan)脚(jiao)间(jian)的(de)(de)(de)正、反向(xiang)电(dian)阻(zu)。当(dang)某两(liang)(liang)个管(guan)(guan)脚(jiao)间(jian)的(de)(de)(de)正、反向(xiang)电(dian)阻(zu)相等，均为(wei)数(shu)KΩ时，则这两(liang)(liang)个管(guan)(guan)脚(jiao)为(wei)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)D和源极(ji)(ji)(ji)(ji)S（可互换），余(yu)下的(de)(de)(de)一个管(guan)(guan)脚(jiao)即为(wei)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)G。对于有4个管(guan)(guan)脚(jiao)的(de)(de)(de)结(jie)型(xing)场(chang)效应管(guan)(guan)，另(ling)外一极(ji)(ji)(ji)(ji)是屏蔽极(ji)(ji)(ji)(ji)（使用(yong)中接地）。

2、判定栅极

用(yong)万用(yong)表(biao)黑表(biao)笔碰(peng)触管子的一个(ge)电(dian)极，红表(biao)笔分别碰(peng)触另外两个(ge)电(dian)极。若两次测出的阻值都(dou)很小(xiao)，说明均是正向电(dian)阻，该(gai)管属于N沟道场(chang)效应管，黑表(biao)笔接的也是栅极。　　

制造(zao)工艺决定了场效(xiao)应管(guan)的(de)(de)源极(ji)和漏极(ji)是对称(cheng)的(de)(de)，可(ke)(ke)以互换使用，并不影响电(dian)(dian)路的(de)(de)正常工作，所以不必加以区分(fen)。源极(ji)与(yu)漏极(ji)间(jian)的(de)(de)电(dian)(dian)阻约为几千欧。　　注意不能用此法判定绝缘栅型场效(xiao)应管(guan)的(de)(de)栅极(ji)。因为这种管(guan)子的(de)(de)输(shu)入电(dian)(dian)阻极(ji)高，栅源间(jian)的(de)(de)极(ji)间(jian)电(dian)(dian)容(rong)又很小，测量时(shi)只要有少(shao)量的(de)(de)电(dian)(dian)荷，就可(ke)(ke)在极(ji)间(jian)电(dian)(dian)容(rong)上形成(cheng)很高的(de)(de)电(dian)(dian)压(ya)，容(rong)易将管(guan)子损坏(huai)。

3、估测场效应管的放大能力　　

将万用表(biao)(biao)拨到R×100档(dang)，红表(biao)(biao)笔(bi)接源(yuan)极S，黑表(biao)(biao)笔(bi)接漏极D，相(xiang)当(dang)于给(ji)场效应(ying)管(guan)(guan)加上1.5V的电(dian)源(yuan)电(dian)压。这时表(biao)(biao)针指示出的是D-S极间电(dian)阻值。然后用手指捏栅(zha)(zha)极G，将人体(ti)的感(gan)应(ying)电(dian)压作(zuo)为输入(ru)信号加到栅(zha)(zha)极上。由于管(guan)(guan)子的放大作(zuo)用，UDS和ID都将发生(sheng)变(bian)化，也相(xiang)当(dang)于D-S极间电(dian)阻发生(sheng)变(bian)化，可(ke)观察到表(biao)(biao)针有(you)较大幅度的摆(bai)(bai)动(dong)。如果手捏栅(zha)(zha)极时表(biao)(biao)针摆(bai)(bai)动(dong)很小(xiao)，说明(ming)管(guan)(guan)子的放大能(neng)力较弱(ruo)；若表(biao)(biao)针不(bu)动(dong)，说明(ming)管(guan)(guan)子已经(jing)损(sun)坏。　　

由于(yu)人体感应的(de)(de)50Hz交(jiao)流电(dian)压较高，而(er)不同的(de)(de)场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)用(yong)(yong)电(dian)阻档测量时的(de)(de)工(gong)作点可(ke)(ke)能(neng)不同，因此用(yong)(yong)手捏(nie)栅(zha)极时表(biao)(biao)针可(ke)(ke)能(neng)向(xiang)右(you)摆(bai)动(dong)(dong)(dong)，也可(ke)(ke)能(neng)向(xiang)左(zuo)摆(bai)动(dong)(dong)(dong)。少数的(de)(de)管(guan)(guan)(guan)子RDS减小，使(shi)表(biao)(biao)针向(xiang)右(you)摆(bai)动(dong)(dong)(dong)，多(duo)数管(guan)(guan)(guan)子的(de)(de)RDS增(zeng)大(da)(da)，表(biao)(biao)针向(xiang)左(zuo)摆(bai)动(dong)(dong)(dong)。无论表(biao)(biao)针的(de)(de)摆(bai)动(dong)(dong)(dong)方向(xiang)如何(he)，只要能(neng)有(you)明显(xian)地摆(bai)动(dong)(dong)(dong)，就说明管(guan)(guan)(guan)子具有(you)放大(da)(da)能(neng)力。本方法也适(shi)用(yong)(yong)于(yu)测MOS管(guan)(guan)(guan)。为(wei)了保(bao)护MOS场效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)，必(bi)须用(yong)(yong)手握住螺钉旋具绝缘柄，用(yong)(yong)金属杆(gan)去(qu)碰栅(zha)极，以防止人体感应电(dian)荷直接加(jia)到栅(zha)极上，将管(guan)(guan)(guan)子损(sun)坏(huai)。　　

MOS管每次测(ce)量(liang)(liang)完毕，G-S结电容上会充有(you)少量(liang)(liang)电荷，建立起电压UGS，再接(jie)着测(ce)时(shi)表针可能不动(dong)，此(ci)时(shi)将G-S极(ji)间短路一下即可。

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