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IGBT的开关过程主要是由栅(zha)极(ji)(ji)电压(ya)VGE控制的，由于栅(zha)极(ji)(ji)和发(fa)射极(ji)(ji)之间(jian)存在着寄生电容(rong)艮，因此IGBT的开通(tong)与(yu)关断就(jiu)相当于对CGE进行充电与(yu)放电。假设IGBT初始状(zhuang)态为关断状(zhuang)态，即(ji)VGE为负(fu)压(ya)VGC-，后(hou)级输出为阻感性(xing)负(fu)载，带有续流(liu)二(er)极(ji)(ji)管。那(nei)么对于IGBT开关时(shi)间(jian)的定义，你又了解多少？具体如下(xia)。
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电(dian)(dian)容(rong)(rong)是(shi)表征电(dian)(dian)容(rong)(rong)器容(rong)(rong)纳电(dian)(dian)荷(he)的(de)本领的(de)物理量(liang)。我们把电(dian)(dian)容(rong)(rong)器的(de)两极板间的(de)电(dian)(dian)势差增加(jia)1伏所需的(de)电(dian)(dian)量(liang)，叫做电(dian)(dian)容(rong)(rong)器的(de)电(dian)(dian)容(rong)(rong)。电(dian)(dian)容(rong)(rong)的(de)符号是(shi)C。电(dian)(dian)容(rong)(rong)是(shi)电(dian)(dian)子(zi)(zi)设(she)备中(zhong)大量(liang)使用(yong)的(de)电(dian)(dian)子(zi)(zi)元(yuan)件之一，广(guang)泛(fan)应用(yong)于隔直(zhi)，耦(ou)合，旁(pang)路(lu)，滤波，调谐回路(lu)，能(neng)量(liang)转换(huan)，控制电(dian)(dian)路(lu)等方面(mian)。用(yong)C表示(shi)电(dian)(dian)容(rong)(rong)，电(dian)(dian)容(rong)(rong)单位(wei)有法(fa)拉(la)（F）、微(wei)法(fa)拉(la)（uF）、皮(pi)法(fa)拉(la)（pF）,1F=10*6uF=10*12pF
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众(zhong)所周知(zhi)，硅晶圆是制造(zao)半导体(ti)器(qi)件(jian)和芯片的基(ji)本(ben)材(cai)料，而且(qie)在(zai)产业中扮演着举足轻重(zhong)的地位，可以说硅是当今最(zui)重(zhong)要、应(ying)用最(zui)广泛的半导体(ti)材(cai)料。
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光伏逆(ni)变(bian)器是(shi)光伏系统(tong)非常重要(yao)的(de)(de)(de)一个设(she)备，主要(yao)作(zuo)用是(shi)把光伏组件发(fa)出(chu)来的(de)(de)(de)直流电(dian)(dian)变(bian)成(cheng)交流电(dian)(dian)，除此之外(wai)，逆(ni)变(bian)器还(hai)承担检(jian)测组件、电(dian)(dian)网、电(dian)(dian)缆运行(xing)状态，和(he)外(wai)界(jie)通(tong)信交流，系统(tong)安全管家等重要(yao)功能。一款全新逆(ni)变(bian)器的(de)(de)(de)产(chan)出(chu)需(xu)要(yao)两年多的(de)(de)(de)时间，前期(qi)需(xu)要(yao)投入大量(liang)的(de)(de)(de)人(ren)力(li)和(he)物(wu)力(li)去(qu)研发(fa)和(he)测试(shi)。
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逆变器的场效应管工作于开关状态(tai)，并且流(liu)过(guo)管子的电流(liu)很大，若管子选(xuan)型不(bu)合适、驱(qu)动电压幅度不(bu)够大或电路的散热不(bu)好，皆可(ke)导致场效应管发(fa)热。
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变频器的过流(liu)故障(zhang)可分为短路(lu)、轻载(zai)、重载(zai)、加速(su)、减速(su)、恒速(su)过电流(liu)，分析变频器出现(xian)过流(liu)故障(zhang)的原(yuan)(yuan)因(yin)应从两(liang)方面来考虑：一是外部原(yuan)(yuan)因(yin)；二(er)是变频器本(ben)身的原(yuan)(yuan)因(yin)。
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