利用IGBT双脉冲测试电(dian)路，改变电(dian)压(ya)及电(dian)流(liu)测量探头的(de)位置，即(ji)可(ke)对IGBT并(bing)联(lian)的(de)续(xu)流(liu)二(er)极管(guan)（即(ji)FRD）的(de)相(xiang)关参数(shu)进行(xing)测量与评估(gu)。

一、FRD工作时的风险评估

IGBT模块中的并联FRD，是一个非常重要的元件，但往往容易被忽视。其工作时的风险主要体现在以下两个方面：

1、IGBT 出现短路或者故障时，IGBT驱动器可以帮忙保护，但FRD芯片损坏时，没有其他的防护手段；

2、在IGBT 开通的时刻，实际上是FRD关断的时刻。所有的功率半导体，包括IGBT 芯片和FRD芯片，在关断时刻面临的风险远大于其开通时面临的风险；

二、FRD参数测量方法

FRD参数测量电路中，测试电路与双脉冲测试相同，具体探头连接及计算如下：

1、将电流探头加在上管IGBT的集电极；

2、将电压探头加在上管 IGBT的C-E极间；

3、将检测电压及电流的瞬时值的积做为一个函数，即可计算得出二极管的瞬时功率；

4、FRD只有在IGBT第二次开通的时候才会有反向恢复行为，用示波器捕捉波形时应注意时间选择。

三、FRD性能与外部参数的关系

在外部参数发生变化时，二极管的风险也在发生变化，在此，我们举几个需要特别注意的参数：

1、驱动的栅阻大小。IGBT驱动的栅阻大小直接影响FRD前沿的di/dt大小，栅阻越小，FRD的di/dt越大，FRD反向恢复过程越容易出现震荡，器件越容易损坏；

2、结温。由于FRD的导通电压VF具有负的温度系数，结温越低，二极管的开关速度越快，其反向恢复电流后沿就越陡峭，产生的电压尖峰也越高；

3、母线电压的高低。母线电压越高，FRD两端的承压更高。

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