在(zai)做电(dian)(dian)源设计(ji)或者做驱(qu)动(dong)方面(mian)的(de)电(dian)(dian)路时，难(nan)免要(yao)用到(dao)MOS管(guan)(guan)。MOS管(guan)(guan)有很多(duo)种类，也有很多(duo)作(zuo)用。做电(dian)(dian)源或者驱(qu)动(dong)的(de)使用，当然要(yao)用到(dao)它的(de)开关作(zuo)用。无论N型或者P型MOS管(guan)(guan)，其工作(zuo)原理在(zai)本质上是一样的(de)。

我们经(jing)常看MOS管的(de)(de)PDF参数(shu)，MOS管制造商采用RDS（ON）参数(shu)来定(ding)义(yi)导(dao)(dao)通阻抗，对开(kai)关(guan)应用来说(shuo)，RDS（ON）也是(shi)最重要的(de)(de)器件特性。数(shu)据手册定(ding)义(yi)RDS（ON）与栅极（或驱(qu)动）电压(ya)VGS以及流(liu)经(jing)开(kai)关(guan)的(de)(de)电流(liu)有关(guan)，但对于(yu)充分的(de)(de)栅极驱(qu)动，RDS（ON）是(shi)一个(ge)相对静态参数(shu)。一直(zhi)处于(yu)导(dao)(dao)通的(de)(de)MOS管很容易发热。另外，慢(man)慢(man)升高的(de)(de)结(jie)温也会导(dao)(dao)致RDS（ON）的(de)(de)增加。MOS管数(shu)据手册规定(ding)了(le)热阻抗参数(shu)，其定(ding)义(yi)为MOS管封装的(de)(de)半导(dao)(dao)体结(jie)散热能力。RθJC的(de)(de)最简单的(de)(de)定(ding)义(yi)是(shi)结(jie)到管壳(qiao)的(de)(de)热阻抗。

MOS管小电流发热的原因：

1、电路设计问题

就(jiu)是让MOS管工作(zuo)在(zai)线性的(de)工作(zuo)状态，而不是在(zai)开(kai)关状态。这也(ye)是导(dao)致(zhi)MOS管发热的(de)一(yi)个原因。如果(guo)N-MOS做开(kai)关，G级电(dian)压(ya)要(yao)比电(dian)源高(gao)几V，才能完全导(dao)通，P-MOS则相(xiang)反。没(mei)有完全打开(kai)而压(ya)降过大造成(cheng)功率消耗(hao)，等效直流阻(zu)抗(kang)比较(jiao)大，压(ya)降增大，所(suo)以(yi)U*I也(ye)增大，损耗(hao)就(jiu)意(yi)味着(zhe)发热。这是设计电(dian)路的(de)最忌(ji)讳的(de)错误。

2、频率太高

表现为有时过分(fen)追求体积，导致频率提高(gao)，MOS管上的损耗增大了(le)，所以发热也加大了(le)。

3、没有做好足够的散热设计

电(dian)流(liu)太高(gao)，MOS管标称(cheng)的(de)电(dian)流(liu)值，一般(ban)需(xu)(xu)要良好的(de)散(san)热才(cai)能达(da)到。所以ID小于最大(da)电(dian)流(liu)，也(ye)可能发热严重，需(xu)(xu)要足够的(de)辅助(zhu)散(san)热片。

4、MOS管的选型有误

对功率判断(duan)有误，MOS管内阻(zu)没有充(chong)分考虑，导(dao)致开关阻(zu)抗增大。

mos管小电流发热严重怎么解决：

1、做好(hao)MOS管的散(san)热(re)设(she)计，添加(jia)足够多的辅助散(san)热(re)片(pian)。

2、贴散热胶。

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