mos在(zai)控(kong)制(zhi)器电路中的工作(zuo)状(zhuang)态：开通(tong)(tong)(tong)过(guo)(guo)程(cheng)（由截止(zhi)到导通(tong)(tong)(tong)的过(guo)(guo)渡过(guo)(guo)程(cheng)）、导通(tong)(tong)(tong)状(zhuang)态、关断过(guo)(guo)程(cheng)（由导通(tong)(tong)(tong)到截止(zhi)的过(guo)(guo)度过(guo)(guo)程(cheng)）、截止(zhi)状(zhuang)态、mos主要损(sun)(sun)耗(hao)也(ye)对应这几个状(zhuang)态，开关损(sun)(sun)耗(hao)（开通(tong)(tong)(tong)过(guo)(guo)程(cheng)和导通(tong)(tong)(tong)过(guo)(guo)程(cheng)），导通(tong)(tong)(tong)损(sun)(sun)耗(hao)，截止(zhi)损(sun)(sun)耗(hao)以及雪崩能(neng)量损(sun)(sun)耗(hao)。只要把这些损(sun)(sun)耗(hao)控(kong)制(zhi)在(zai)mos承受(shou)规格之内，mos即会正常工作(zuo)，超出承受(shou)范围(wei)，即发生损(sun)(sun)坏。

mos管的(de)(de)损坏主(zhu)要围绕雪(xue)崩损坏、器件(jian)发热(re)损坏、内置二极管破(po)坏、由(you)寄生(sheng)振荡导(dao)致的(de)(de)破(po)坏、栅极电涌、静电破(po)坏这五大(da)方(fang)面(mian)。接下(xia)来就由(you)小编针对mos管的(de)(de)损坏原因做以下(xia)简明介绍。

1、雪崩损坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定(ding)VDSS的电(dian)涌(yong)电(dian)压(ya)，而(er)且达到击穿电(dian)压(ya)V(BR)DSS （根据击穿电(dian)流其值不同），并超出一定(ding)的能量后(hou)就发生破坏的现象。

在介质(zhi)负载的(de)(de)开关(guan)运行(xing)断开时产生的(de)(de)回扫电压或者由漏磁(ci)电感产生的(de)(de)尖峰(feng)电压超出功(gong)率mos的(de)(de)漏极(ji)额定耐压并进入击(ji)穿区而(er)导致(zhi)破(po)坏的(de)(de)模式会引(yin)起雪(xue)崩损(sun)坏。

2、器件发热损坏

该种损坏(huai)是由超(chao)出安全区域引起发(fa)热而导致(zhi)的。发(fa)热的原(yuan)因(yin)分(fen)为(wei)直流功(gong)率和(he)瞬态(tai)功(gong)率两(liang)种。

(1) 直流(liu)(liu)功(gong)率是(shi)由外(wai)加直流(liu)(liu)功(gong)率而(er)导(dao)致(zhi)的损耗(hao)引起的发热，损耗(hao)有导(dao)通电(dian)(dian)阻RDS(on)损耗(hao)（高温时RDS(on)增大，导(dao)致(zhi)一(yi)定电(dian)(dian)流(liu)(liu)下，功(gong)耗(hao)增加）、由漏(lou)电(dian)(dian)流(liu)(liu)IDSS引起的损耗(hao)（和其他(ta)损耗(hao)相比极小）。

(2)瞬态功率是(shi)由外加单触发脉冲而导致的损(sun)耗(hao)(hao)(hao)引起(qi)的发热(re)，损(sun)耗(hao)(hao)(hao)负载短(duan)路、开(kai)关损(sun)耗(hao)(hao)(hao)（接通、断开(kai)，与温(wen)(wen)度(du)和工作频(pin)率是(shi)相关的）、内置二极管的trr损(sun)耗(hao)(hao)(hao)（上(shang)下桥臂(bei)短(duan)路损(sun)耗(hao)(hao)(hao)，与温(wen)(wen)度(du)和工作频(pin)率是(shi)相关的）。

器件(jian)正常(chang)(chang)运行时(shi)不发生(sheng)的(de)(de)(de)(de)负载短路等引起的(de)(de)(de)(de)过(guo)电流，造(zao)成瞬(shun)时(shi)局部发热而(er)导致(zhi)破(po)坏(huai)。另外，由于热量(liang)不相配或(huo)开关频率太高使芯片不能正常(chang)(chang)散热时(shi)，持续的(de)(de)(de)(de)发热使温度(du)超出沟道温度(du)导致(zhi)热击穿的(de)(de)(de)(de)破(po)坏(huai)。

3、内置二极管破坏

在DS端(duan)间(jian)构成的(de)寄(ji)生二(er)极管(guan)(guan)运(yun)行时(shi)，由(you)于在Flyback时(shi)功率mos的(de)寄(ji)生双(shuang)极晶(jing)体管(guan)(guan)运(yun)行，导(dao)致此二(er)极管(guan)(guan)破坏(huai)的(de)模(mo)式。

4、由寄生振荡导致的破坏

此(ci)种破(po)坏方式在(zai)(zai)并(bing)联时极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)易发(fa)生(sheng)(sheng)。在(zai)(zai)并(bing)联功率mos时未插入栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)阻而直接(jie)(jie)连接(jie)(jie)时发(fa)生(sheng)(sheng)的(de)(de)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)寄生(sheng)(sheng)振(zhen)(zhen)荡。高(gao)速反(fan)复(fu)接(jie)(jie)通、断开(kai)(kai)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)-源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)压时，在(zai)(zai)由栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)-漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)容Cgd(Crss)和栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)引(yin)脚(jiao)电(dian)(dian)(dian)感Lg形(xing)成(cheng)的(de)(de)谐振(zhen)(zhen)电(dian)(dian)(dian)路上发(fa)生(sheng)(sheng)此(ci)寄生(sheng)(sheng)振(zhen)(zhen)荡。当谐振(zhen)(zhen)条件(ωL=1/ωC)成(cheng)立时，在(zai)(zai)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)-源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)间(jian)(jian)外(wai)加(jia)远远大于驱(qu)动(dong)电(dian)(dian)(dian)压Vgs(in)的(de)(de)振(zhen)(zhen)动(dong)电(dian)(dian)(dian)压，由于超出栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)-源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)间(jian)(jian)额定(ding)电(dian)(dian)(dian)压导(dao)(dao)致栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)破(po)坏，或者(zhe)接(jie)(jie)通、断开(kai)(kai)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)-源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)间(jian)(jian)电(dian)(dian)(dian)压时的(de)(de)振(zhen)(zhen)动(dong)电(dian)(dian)(dian)压通过(guo)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)-漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)容Cgd和Vgs波(bo)形(xing)重(zhong)叠导(dao)(dao)致正向反(fan)馈(kui)，因此(ci)可能会由于误(wu)动(dong)作引(yin)起(qi)振(zhen)(zhen)荡破(po)坏。

5、栅极电涌、静(jing)电破坏

主(zhu)要(yao)有因在(zai)栅极和(he)源极之间如果存在(zai)电(dian)压浪(lang)涌(yong)和(he)静电(dian)而引起的(de)破(po)坏(huai)，即栅极过电(dian)压破(po)坏(huai)和(he)由上电(dian)状态中静电(dian)在(zai)GS两端（包括安装和(he)和(he)测定设备(bei)的(de)带电(dian)）而导致的(de)栅极破(po)坏(huai)。

以上有(you)关mos损坏的原因就讲到这(zhei)里啦，咱们下期再见啦~

备注：本文素材来源于网(wang)络，仅作学习与交流(liu)，所(suo)有(you)(you)观点(dian)属于原(yuan)作者，不代(dai)表对该观点(dian)表示支持或赞同(tong)，如有(you)(you)侵犯(fan)到您的权(quan)利(li)，请及时联系(xi)我们(men)删(shan)除(chu)。