IGBT单管：多种先进的IGBT技术平台：平面非穿通，沟槽非穿通，平面场截止，沟槽场截止；从经济和性能方面为用户提供灵活的选择方案。

IGBT模块：采用先进的平面场截止技术，具有地饱和压降和高速开关特性，适合焊机、电磁感应加热等高频电源应用。

IPM：DIP-25 IPM智能功率模块，集成IGBT三相逆变电路和过压、欠压、过流、过热等保护电路。

高压VDMOS：成熟的高压平面VDMOS产品。平面高压MOS，电压600~1500伏特，应用于逆变器、充电器以及高压开关电源等领域。

以下是几款典型的产品介绍：

1、JNG20T60FS TO-220F

产品介绍：
沟槽NPT工艺，方形RBSOA，软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升，广泛应用于各类逆变及开关应用。20A 600V IGBT产品有TO-220F封装、TO-220C封装、TO-247封装、TO-263封装。

2、JNG40T60HS TO-247
产品介绍：
沟槽NPT工艺，1.8V低导通压降，方形RBSOA，软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升，广泛应用于各类 逆变及开关应用。40A 600V IGBT产品有TO-247封装和TO-3P-3（内绝缘）封装。

3、JNG15T120HS TO-247
产品介绍：
沟槽NPT工艺，1.9V低导通压降，方形RBSOA，软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升，广泛应用于各类感应加热、逆变及开关应用。15A 1200V IGBT产品有TO-247封装、TO-220C封装、TO-220F封装、TO-3P-3(内绝缘）封装。

4、JNG25N120HS TO-247
产品介绍：
平面NPT工艺，优秀的短路能力，方形RBSOA，软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升，广泛应用于各类变频及开关应用。

5、JNG40T120HS TO-247
产品介绍：
沟槽NPT工艺，2.2V低导通压降，方形RBSOA，软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升，广泛应用于各类感应加热、逆变及开关应用。40A 1200V IGBT产品有TO-247封装、TO-247-3（内绝缘）封装。

6、JNG50N120LS TO-264
产品介绍：
平面NPT，优秀的短路能力，方形RBSOA，软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升，广泛应用于各类变频及开关应用。50A 1200V IGBT产品有TO-264封装、TO-247PLUS封装。

7、JNG75T120LS TO-264
产品介绍：
沟槽NPT，1.75V低导通压降，方形RBSOA，软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升，广泛应用于各类感应加热、逆变及开关应用。75A 1200V IGBT产品有TO-264封装和TO-247PLUS封装。

8、JNG15N120AI TO-3P-3(内绝缘）
产品介绍：
平面NPT，内绝缘封装，优秀的短路能力，方形RBSOA，软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升，广泛应用于各类变频及开关应用。15A 1200V IGBT产品有TO-247封装、TO-220C封装、TO-220F封装、TO-3P-3(内绝缘）封装。

9、JFQM3N150C TO-3PH
产品介绍：
平面MOS工艺，卓越EMI优化设计及EAS能力，低导通电阻，广泛应用于各种开关电源电路。3A 1500V MOSFET产品有TO-3PH封装和TO-220F-3封装。

10、JNG30T60IPD1S1 DIP-25
产品介绍：

IPM工艺(yi)，内置(zhi)低损(sun)耗600V 30A IGBT 三相逆变(bian)器;增(zeng)强型输(shu)入滤波，高速600V电(dian)平转(zhuan)换;电(dian)源欠压保(bao)护，短路（过流）保(bao)护;兼容(rong)3.3V & 5V输(shu)入信号，高电(dian)平有效;下桥臂IGBT发射极输(shu)出;内置(zhi)自举二极管。