多种先(xian)进的(de)IGBT技术平台(tai):平面(mian)非穿通,沟(gou)槽非穿通,平面(mian)场截(jie)止,沟(gou)槽场截(jie)止;从(cong)经(jing)济(ji)和(he)性能(neng)方(fang)面(mian)为用户(hu)提供灵(ling)活的(de)选择方(fang)案。
采用(yong)先进的平面场截止技(ji)术,具(ju)有地饱(bao)和压降和高速(su)开(kai)关特性,适合焊机、电磁(ci)感应加热(re)等高频电源应用(yong)。
成熟(shu)的高压平(ping)面(mian)VDMOS产(chan)品。平(ping)面(mian)高压MOS,电(dian)(dian)压600~1500伏特,应(ying)用于逆变器(qi)(qi)、充电(dian)(dian)器(qi)(qi)以及高压开关电(dian)(dian)源等(deng)领域。
快(kuai)恢复(fu)二极管采用先(xian)进外(wai)延扩铂技术,具(ju)有较(jiao)小的trr、Qrr,高温漏电特(te)征(zheng),同时具(ju)有优良的软恢复(fu)特(te)性。
碳化硅MOSFET是基于(yu)碳化硅半(ban)导体材料的场(chang)效(xiao)应晶体管,具有高频高效(xiao)、高耐(nai)压、高可靠性等(deng)特性。
青岛(dao)佳(jia)恩半(ban)导(dao)(dao)体(ti)(ti)有限公(gong)司成立于2015年是国家高(gao)新技术企(qi)(qi)(qi)业(ye)(ye)(ye)、科技型(xing)中小(xiao)企(qi)(qi)(qi)业(ye)(ye)(ye)、山(shan)东省(sheng)专(zhuan)(zhuan)精特(te)新企(qi)(qi)(qi)业(ye)(ye)(ye)、山(shan)东省(sheng)瞪羚企(qi)(qi)(qi)业(ye)(ye)(ye)、青岛(dao)市首批制(zhi)(zhi)造业(ye)(ye)(ye)新锐企(qi)(qi)(qi)业(ye)(ye)(ye)产融合作企(qi)(qi)(qi)业(ye)(ye)(ye),公(gong)司致(zhi)力干高(gao)端(duan)半(ban)导(dao)(dao)体(ti)(ti)功率器件的设计、开发(fa)、制(zhi)(zhi)造及销售。作为新一代的功率半(ban)导(dao)(dao)体(ti)(ti)设计公(gong)司,佳(jia)恩掌握着创新型(xing)功率半(ban)导(dao)(dao)体(ti)(ti)核心技术,拥(yong)有自(zi)主知识产权和(he)自(zi)主品牌。公(gong)司自(zi)主研发(fa)的产品涵盖了(le)600V~1200V IGBT芯片、500V~1500V MOS芯片、400V~1200V FRD芯片,共申请了(le)23项(xiang)(xiang)发(fa)明(ming)专(zhuan)(zhuan)利、43项(xiang)(xiang)实用新型(xing)专(zhuan)(zhuan)利
近(jin)日,我司(si)(以下(xia)简称“佳(jia)恩半导(dao)体”)收(shou)获(huo)重大喜(xi)报,继2021年(nian)12月完(wan)成PreA轮(lun)(lun)融(rong)资(zi)(zi)(zi)后,近(jin)日再次完(wan)成数千万A轮(lun)(lun)融(rong)资(zi)(zi)(zi),本轮(lun)(lun)融(rong)资(zi)(zi)(zi)由山(shan)东毅达创业投(tou)资(zi)(zi)(zi)基金合(he)伙企业(有限(xian)合(he)伙)(简称“毅达资(zi)(zi)(zi)本”)独家投(tou)资(zi)(zi)(zi),融(rong)资(zi)(zi)(zi)资(zi)(zi)(zi)金将主要用(yong)于加(jia)速功率半导(dao)体芯(xin)片研发、加(jia)快产线建(jian)设及人才(cai)团(tuan)队组建(jian)。
+ 查看更多热烈祝贺(he)佳恩半导体深(shen)圳(zhen)分公司于2021年10月26日乔迁(qian)至(zhi)深(shen)圳(zhen)市南山(shan)区科(ke)(ke)技园(yuan)中区科(ke)(ke)苑(yuan)路15号科(ke)(ke)兴(xing)科(ke)(ke)学园(yuan)B4栋3楼(lou)05单位(wei) ,新居鼎定,大展(zhan)宏图。
+ 查看更多公司推出新品(pin)(pin)JNG40T120HI TO-247内绝(jue)缘产品(pin)(pin)。
+ 查看更多